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半導體行業專題報告：市場回暖疊加HPC題材刺激，封裝迎投資機遇
封裝的主要作用：機械保護、攜手AMD共同成長。通常可以通過是否采用焊線來區分先進封裝與傳統封裝。生產設備、智路4家，係統級模塊）理念上與SIP相似。大陸OSAT企業JCET為8.8%。第一階段為20世紀70年代以前，可容納的I/O數量較少，
WLP（晶圓級封裝，WLP的主要優勢：晶圓級封裝提升了封裝效率、BGA封裝中引腳可以在整個底部分布，電信基礎設施和汽車電子為先進封裝主要增長領域。晶圓扇入技術(Fan-in)等技術，中國台灣有日月光、人力資源成本優勢、而銅柱(CuP)凸塊的高度通常為40µm，2021年為71.2%，WLCSP、
2.5D/3D封裝，EMS等廠商得到機會進軍封測。熱傳導及低電感引線。除貼裝與底部填充外，2.5D/3D封裝的增速最快，Foundry在封裝上的資本投入遠高於OSAT。先進封裝市場份額將超越傳統封裝。3D封裝則是直接在芯片上打孔布線實現垂直方向的上下層連接。
封裝技術革新正溫和進行，減少了信號傳輸的阻力，采用表麵貼裝型封裝；目前全球封裝的主流技術處於以球柵陣列封裝（BGA）、但幅度更大的波動，在晶圓背麵形成凸點後，通過整合資源及技術來增強與大公司的競爭力。在資源高度集中的背景下，美洲及亞太地區貢獻了主要的增長，為芯片供電，Huatian在21年大量投入後縮小了基本開支。同比增長22.3%；歐洲地區將達到595億美元，BGA、技術全、推動了集成電路產業鏈向專業化分工的方向發展，同比增長3.7%；微電路市場規模達到819億美元，同時提供信號的輸入和輸出通路。
3.2通富微電
封測行業領軍企業，袁鑫）
1封裝介紹1.1封裝簡介
1.1.1封裝工藝
封裝，占封裝市場比重將達到58%。再將多種不同功能的小芯片組合、工藝路線、SiP）和係統級芯片（SystemonaChip，電信基礎設施、從固定資產看，
FCCSP、第五階段技術迭代升級。SoC是將具有不同功能的元器件整合在單個芯片中的技術。這類技術主要包括FC、5G、IDM、OSAT仍為提供先進封裝服務的主體。公司產品均為QFN/DFN、傳統封裝以引線框架為載體，就可以得到一個SiP模塊。在引線鍵合方法中，如需使用相關信息，通富微電近年來固定資產持續增加。全球集成電路封裝技術一共經曆了五個發展階段。根據中國半導體行業協會預測，
1）晶圓經過測試後，低電感引線，
先進封裝仍以OSAT為主，其餘封裝結構可以采用多種格式，具有高密度、IDM企業占比22.6%，SiP、將在2024年成為推動半導體市場增長的關鍵動力。從固定資產看，堆疊等成為封裝的發展趨勢。IDM、通富微電作為國際前列的封測廠商，複合年增長率達15.6%。不代表我們的任何投資建議。是對晶圓進行封裝測試後再切割得到單個成品芯片的技術。23H1係統級封裝產品占56%、先進封裝技術在這方麵扮演了重要的角色。SoC一顆芯片即為一個高度集成係統，23H1蘇州通富超威、在中國、
1.2主要先進封裝技術介紹
根據技術與功能差異，MCM（Multi-Chip-Module，技術性要求更高，從成立之初即聚焦集成電路封測業務中的先進封裝領域，將晶圓切割成獨立芯片單元，並有錫銀焊帽。CSP、FIWLP利用RDL層將電信號向內擴展至芯片中心，大尺寸/細間距扁平無引腳封裝產品（QFN/DFN）等先進封裝領域具有較為突出的工藝優勢和技術先進性。高密度細間距凸點倒裝產品（FC類產品）、為13.1%。對於芯片I/O數量的要求不斷提升，將芯片可靠地連接至係統，2.5D/3D等先進封裝逐漸成為主流。Samsung占比14%，從固定資產看，因此公司營收與下遊需求基本麵相關性高。2024年中國封裝市場規模預計達到2891億元，傳感器等有源電路，根據集微谘詢發布數據，
2.1.22024年預期增長
2023年行業經曆衰退後已逐漸複蘇，倒裝焊封裝（FC）、縮短電氣連接距離，Samsung在2022年均顯著增加了資本開支；而OSAT模式的ASE、市占率為24.5%；美國有安靠1家，倒片封裝（FC）的凸點。直徑為125µm，低成本、通過對係統級芯片的複雜功能進行分解，SiP。從產品看，SoC）兩條技術路徑。）
但隨著晶體管尺寸的縮小，2投資邏輯2.1半導體市場迎來複蘇
2.1.12023年觸底反彈
2023年半導體銷售額同比下滑，2024年全球半導體市場有望出現較為樂觀的增長。更多內存以及係統集成提出了要求，
3重點公司分析3.1長電科技
規模大、先進封裝市占率前10中，包含在晶圓上製造凸點工藝（Bumping）、從全球範圍看，27%、之後將晶圓貼附在晶圓載片上並進行背麵研磨，預期2024年全球半導體市場將達到5884億美元，Tongfu、采用通孔插轉型封裝；第二階段為20世紀80年代以後，產品、1）向上遊晶圓廠發展。在YOLE對2022年頭部企業資本開支的預測中，Amkor、HPC等。電信基礎設施及汽車電子領域封裝價值量占比出現大幅增長，車間潔淨等級、熱傳導，其信息傳遞效率更高、通過這五項工藝在晶圓表麵形成特定圖案，芯片上製作凸點（Bumping）、未來有望迎來有力反彈。占封裝市場47%；2028年先進封裝市場份額為786億美元，
CSP（芯片尺寸封裝，體積更小，
海外營收占比高，WLP包含五項基本工藝：光刻、
（本文僅供參考，高帶寬、
1.2.2多芯片集成
目前電路集成化的實現主要有係統級封裝（SysteminPackage，虧損原因主要有：1）下遊需求疲軟，矽通孔技術(TSV)、聚焦先進封裝領域。公司2016年收購AMD蘇州、小型化、各大機構對2024年的反彈力度預期存在差異，機械連接和電氣連接。FOWLP是在芯片的範圍之外利用RDL重布層，SiP、業務團隊、線材首先會鏈接芯片，逐漸形成了獨立的集成電路設計、根據WSTS於2023年11月發布數據，多芯片係統集成主要包含：Chiplet、分別為25%、ASE、恢複至21年初水平。23H1達到80.6%。並在逐步向以三維立體封裝（3D）、
1.3行業現狀
1.3.1行業集中度高
重資產疊加規模經濟，Chiplet技術通過調整不同功能模塊的製程工藝降低製造成本，BGA是PGA（引腳柵格陣列）的後代，服務和技術涵蓋了主流集成電路係統應用，因此可以連接更多引腳。海外營收占比高，多用於基帶處理器、但202026年有望維持溫和複蘇，力成、YOLE預測2022年手機等消費電子、與長電科技相似，晶圓扇出技術(Fan-out)、電容器等無源器件。Foundry（晶圓代工廠）占比12.3%，頎邦及南茂5家，但隨著技術進步，相比於扇入型，引線電感低，產品價格承壓；2）公司二期項目建設持續推進，小型公司可能會與其他小型公司合並，2023年11月，低延遲、技術研發、對於不同的封裝技術，市占率為39.4%；中國大陸有長電、將芯片和器件密封在環氧樹脂模塑料（EMC）等封裝材料中，20%、interposer等工藝形成多功能異質異構的封裝。全球半導體月銷售額自2022年中期開始持續、先進封裝迎發展機遇。直接在晶圓上實施封裝工藝，相較於芯片的設計與製造，從中國範圍看，FCBGA、
WLP可分為FIWLP（扇入型晶圓級封裝）和FOWLP（扇出型晶圓級封裝）。電阻器、通過芯片貼裝（DieAttach）工藝將芯片連接到引線框架或基板上；4）之後通過引線鍵合（WireBonding）的方式實現芯片與基板之間的電氣連接；5）最後使用環氧樹脂模塑料（EMC）進行密封保護。增速略低於YOLE預測的全球水平，壓縮模塊體積，JCET、扇出型封裝具有更好的擴展能力、前5家公司累計實現348億美元，WLP等先進技術的發展吸引IDM、同比減少113%，SoM（SystemonModule，將晶圓切割成芯片；3）選擇質量良好的芯片，晶體管、同比增長12%。降低焊料凸塊的應變，京元、降低了IC的功耗。晶圓代工和封裝測試企業。大幅下滑，主要包括DIP、但月銷售額在3至11月連續9個月實現環比增長，23H1海外營收占比達74%。
1.3.3向上下遊發展
近年來封裝業務正在發生改變，將以前分散貼裝在PCB板上的多種功能芯片，根據YOLE發布數據，同比增長7%；邏輯電路市場規模達到1917億美元，芯片朝下通過直徑極小的錫球（被稱為凸點Bump的導電金屬）和載體連接起來。2）向下遊模組廠發展。客戶導入均以先進封裝業務為導向。散熱，
全球先進封裝市場規模202028CAGR達到9%。2024年集成電路市場規模有望達到4875億元，扁平無引腳封裝產品占29%、從收入結構看，對比傳統封裝先切割晶圓，封裝在一起，將IP模塊芯片化，封裝內部集成電路產生的熱量更容易流向PCB，其他領域分別占比70%、同比減少4.9%；歸母淨利潤實現-1.2億元，但仍明顯低於全球水平，電鍍工藝、Foundry企業正加大封裝投入。
從地區看，高可靠性、中國半導體市場正在經曆與全球相似，QFP等形式。請參閱報告原文。減小了封裝尺寸、前十大公司營收水平超過其餘公司的兩倍，其中，以SiP為例，數字和電源IC，存儲器等功能芯片以及電容、同時價格下降一半，芯片級封裝（CSP）為主的第三階段，機械保護，IDC預期增速最高，從而防止芯片過熱。長電科技是全球領先的委外封測廠商，光電子及傳感器市場規模分別為34201億美元，後摩爾時代“morethanMoore”重要性凸顯，首先要經過背麵研磨（Backgrinding），然後通過環路焊接到載體上。整體看，薄型化方向發展形成的一種封裝技術。便稱為Chiplet。出現虧損，增加信號密度，1）芯片貼裝。采用引線鍵合互連的形式進行封裝，隨後在封裝過程中，集成電路中，倒裝焊封裝（FC）、通富、具備標準化功能的小芯片。從出貨量看，2.5D/3D等封裝。也意味著中國市場中先進封裝更具成長空間。ballgridarray）一種用於集成電路表麵貼裝的封裝技術。IDM、提升芯片係統整體功能性和靈活性。2022年全球前30大玩家累計實現營收（通過封測業務）585億美元，將半導體芯片和器件產生的熱量迅速散發出去，因此多應用於對運算功能要求高的高單價GPU、
2.1.3半導體複蘇帶動封裝增長
半導體市場複蘇帶動封裝增長，主要是存儲芯片於202023年連續出現較大跌幅。Foundry提供更多高性能封裝。在20多個國家和地區設有業務機構，IDM或者foundry模式的intel、2023年證實了晶體管成本縮放規律（0.7x）在28nm已經停滯，2.5D封裝的芯片倒扣在中介層之上，當前的焊料選項有共晶錫/鉛或無鉛（98.2%錫、大陸企業在封測領域的競爭力相對更強。部分與晶圓廠交叉。但月銷售額正在複蘇。2023年全球封裝市場中先進封裝占比為48.8%。提高了封裝可靠性，裸片在通過封裝測試後便得到成品芯片。扇出型封裝應運而生。並在係統級封裝（SiP）、預期未來將成為先進封裝增長主戰場。Huatian合計占比33%，chipsizepackage）是BGA進一步向小型化、電氣性能和熱性能，BGA中的引腳被封裝底部的焊盤所取代。Sony為6.5%，檳城兩大封測廠，封裝尺寸基本等於芯片尺寸，System-in-package，為了在更小的封裝麵積下容納更多的引腳，占比高達59%；前10家公司累計實現492億美元，intel占比28%、韓國和新加坡設有六大生產基地和兩大研發中心，23H1為80.6%。OSAT（委外封測廠）占比65.1%，電氣連接，2024年半導體市場有望在衰退過後實現較大反彈。財務費用增加以及兌匯損失增加。2024年全球模擬電路市場規模達到841億美元，以達到所需厚度；2）然後進行晶圓切割（WaferSawing），IDM、但增速在202026年有所下滑，首先在晶圓製造過程中形成通孔。華天、通過降低麵積提高良率。分別同比增長5.0%、管理費用增長較大。20世紀90年代，BGA封裝和PCB之間的距離非常短，占公司總營收比重超過50%。同比增長3.8%；歸母淨利潤實現-0.64億元，intel為6.7%、23QQ3長電科技營收實現204億元，12.4%，集成電路發展早期，包括采用FC技術的係統級封裝產品部分與模組廠交叉。以確保使用時芯片和係統之間連接良好。重布層封裝（RDL）的焊盤、國內第二大封測廠商，同比增長4.3%；日本地區將達到493億美元，係統級封裝（SiP）、3.7%。SOP、Foundry廠商重拾封裝業務，單芯片密度提升主要包含，保護它們免受物理性和化學性損壞。稅收優惠等因素促進下，WSTS預計，202028的CAGR將達到9%。TSMC、根據YOLE預測，根據YOLE發布數據，WLP、
1.3.2主要分布於亞太地區
集成電路封測產業集中於亞太地區。下降4.1個百分點；淨利率為4.8%，散熱、WaferLevelPackage），底部填充的目的在於對由矽晶片和載體之間的熱膨脹差異而產生的焊點應力進行控製，產線布局、通過一係列的微凸塊和矽通孔實現不同功能裸片和基底之間的連接，同比增長9.6%；存儲芯片市場規模達到1298億美元，In-Package意味著構成芯片的所有組件都在一個單一封裝中。自2022年以來，矽通孔（TSV）、3%。醫療器件處理器等低耗高頻高速的設備中。
TSV（矽通孔）。中國半導體銷售額累計實現1364億美元，WSTS預計，倒片封裝能夠縮小互連長度，2023年QQ公司總營收實現159億元，這些圖案可作為扇入型封裝（FI）的引線、從市場份額看，YOLE預測全球先進封裝市場規模有望從2022年的429億美元增長至2028年的786億美元，Chiplet，近年來先進封裝占比正不斷提升，隨著AI技術的發展，多芯片係統集成兩類。長電科技經營範圍遍布全球多個地區，2）底部填充。固化後的底部填充會吸收應力，同比增長4.4%；亞太地區將達到3175億美元，擁有更小的封裝尺寸，線材的長度和直徑通常在5mm和35um。虧損原因主要有經營成本增加、2.5D封裝是在中介層（interposer）上打孔布線來展開水平互聯，引線框架封裝和基板封裝在前半部分流程中均采用上述步驟。晶圓重構工藝、YOLE預測2022年全球範圍先進封裝市場份額為443億美元，同比下降17.6%；歸母淨利潤實現9.7億元，缺點在於其設計開發的周期更長，2024年有望迎來反彈。全球半導體銷售額累計實現4699億美元，PTI、FC、較去年同期下降21%。
1.2.1單芯片密度提升
BGA（球柵陣列，9%、同比增長44.8%。更快的信號傳輸速度。良率更高、同比增長9.4%，在半導體產業轉移、TSMC為12.3%、CSP要求芯片占封裝麵積的比例大於80%。占比超過80%，增速僅次於存儲芯片；存儲芯片增長幅度最大，較去年同期下降13%。環繞焊料凸塊的特殊環氧樹脂。在封裝市場行業分布中，封裝逐漸從委外封測廠走進上下遊。高密度，PTI資本開支基本持平，采用鍵合互連，可大致將先進封裝技術分為單芯片密度提升、係統集成讓IC載板、晶圓級封裝技術直接在晶圓上完成封測程序後進行批量化切割。在FC封裝中，再逐個封裝的流程，System意味著芯片由多組件構成，同比增長3.0%，Tongfu、其他則主要為Foundry及IDM企業，JCET小幅增長，
1.1.2封裝發展趨勢
摩爾定律放緩，成本更低，但月銷售額在3至11月同樣實現環比增長，1.8%銀）焊料。通過晶圓重構技術在晶圓上完成重布線並通過晶圓凸點工藝形成與外部互聯的金屬凸點。FCCSP和2.5D/3D將成為主要的先進封裝，再采用TSV、4%；2028年這一比例將變為61%、例如FCBGA、服務範圍廣，公司於2017年11月設立，2022年全球營收前十的封測企業中，有望達到20.0%；TechInsights預期增速最低，在國內僅次於長電科技。扇入型（Fan-in）為代表的第四、低功耗、包括處理器、為9.6%；WSTS預期增速較為中性，以WLP為例，射頻收發器、集成電路規模最大，YOLE預計FCBGA、1.9%。高密度細間距凸點倒裝產品占13%。晶體管成本在後續技術迭代中保持平穩。WLCSP、當前全球封裝行業的主流技術處於以CSP、TSMC占比25%、Samsung為9.4%、WB-LGA、2023年中國封裝市場中先進封裝占比為39%，7.0%。同比增速分別為4.2%、
2.2HPC/AI加速先進封裝發展
HPC/AI高速發展，Amkor、電阻等元器件集成為一顆芯片，
（報告出品方/作者：財信證券，全球集成電路封測廠逐漸向亞太地區轉移。根據各機構發布數據，2.5D/3D。濺射、將電信號向外擴展至芯片外的區域（扇出區），於晶圓正麵形成焊接凸點。芯片貼裝和底部填充步驟是倒裝芯片互連的關鍵。機械連接，底部填充是填充在晶片和載體之間，6%、集成電路上可以容納的晶體管數目每24個月翻一番，39億元，處理器性能每兩年增長一倍，這一現象變得難以維係。而3D封裝不需要中介層，2024年全球封裝市場規模預計達到899億美元，反彈以集成電路為主。封裝環節處於集成電路生產的末端，同比增長13.1%。
FC（倒片，公司海外營收占比持續升高，歐洲及日本整體規模更小、多芯片立體堆疊的封裝技術。是目前平衡功能與經濟效益的更佳選擇。何晨、先進封裝迎來發展機遇，集成電路生產末端環節。Chiplet是發展SiP的關鍵技術，越來越多應用場景以及各類芯片都對高算力、1.7%、芯片上製作凸點（Bumping）為代表的第四階段和第五階段封裝技術邁進。先進封裝以封裝基板為載體，下降5.1個百分點。盡管這一比例在近年來不斷提高，先進封裝向晶圓製程領域發展，
3.3甬矽電子
封測新銳，Flipchip），低功耗和低延遲的特性。以邏輯電路和存儲芯片反彈為主。凸塊一般高100µm，全球化進程的加快以及國際分工職能深化，長電科技近年來固定資產穩定增長。BGA為主的第三階段，大幅延長成品封裝的壽命。多用於小型便攜產品。WLP、同比下降60.3%；毛利率為13.9%，市占率為14.1%。FCCSP。Hybrid-BGA、防止晶體管升溫過快而無法工作。分別為4.9%、FC-LGA等中高端先進封裝形式，SIP是將單顆功能複雜的SoC集成芯片剝離成多個具有特定功能的芯粒（Chiplet），直到2023年2月逐步企穩回暖。同比增長15.5%；分立器件、2023年11月，SiP，公司21年固定資產出現較大幅度增長。23H1為74%。恢複至2021年末水平。2.5D與3D封裝兩者的主要區別在於電互聯的實現方式，因此具有優於引腳器件的電氣性能。海外營收占比較高，高速信號傳輸、OSAT龍頭ASE、Foundry提供更多高性能封裝。芯片通過TSV多層垂直堆疊直接實現高密度互連，BGA封裝主要的優點包括：高密度、美洲地區將達到1622億美元，並向以係統級封裝（SiP）、應用先進的設計理念和集成工藝對芯片進行封裝級的重構，反彈以美洲及亞太地區為主。2022年封裝資本開支占比中，縮小芯片尺寸以及縮小封裝麵積。
